[发明专利]半导体存储装置以及半导体存储装置的读出方法有效
| 申请号： | 201810349891.X | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108735259B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 佐野圣志 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制电路规模和消耗电流的增大，且读出电压的余量更大的半导体存储装置以及半导体存储装置的读出方法。包含：第一位线(GBL)；第二位线(BL)，经由第一开关(26)与第一位线(GBL)连接；电荷传输部，上述电荷传输部包含与第二位线(BL)连接并且保持来自储存有数据的存储部(70)的读出电压的第一保持部(74)和与第一位线(GBL)连接并且保持由于与第一保持部(74)之间的电荷传输而产生的电压的第二保持部(78)，并经由第一位线(GBL)在第一保持部(74)和第二保持部(78)之间传输电荷；以及比较部(40)，对第二保持部(78)所保持的电压和基准电压(Vref)进行比较。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 以及 读出 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：第一位线；第二位线，经由第一开关与上述第一位线连接；电荷传输部，包含与上述第二位线连接并且保持来自储存有数据的存储部的读出电压的第一保持部和与上述第一位线连接并且保持由于与上述第一保持部之间的电荷传输而产生的电压的第二保持部，上述电荷传输部经由上述第一位线在上述第一保持部与上述第二保持部之间传输电荷；以及比较部，对上述第二保持部所保持的电压和基准电压进行比较。
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