[发明专利]一种像素补偿电路及像素补偿方法在审

专利信息
申请号: 201810350263.3 申请日: 2018-04-18
公开(公告)号: CN108682394A 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: 王一伊;王少波 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/3258 分类号: G09G3/3258;G09G3/3266
代理公司: 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 代理人: 潘中毅;熊贤卿
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种像素补偿电路及像素补偿方法,补偿电路中:第二薄膜晶体管与第一薄膜晶体管的栅极和漏极连接,第一薄膜晶体管的源极接入恒定直流电压信号,第二薄膜晶体管还接入第n级扫描信号;第三薄膜晶体管与第一薄膜晶体管的漏极连接,还通过发光器件与公共接地端连接以及接入使能信号;第四薄膜晶体管接入第n‑1级扫描信号,还与存储电容的第一端和第一薄膜晶体管的栅极连接,存储电容的第二端与第五薄膜晶体管以及第六薄膜晶体管连接;第五薄膜晶体管还分别接入数据信号以及第n级扫描信号;第六薄膜晶体管还分别与公共接地端连接以及接入使能信号。本发明可以降低薄膜晶体管阈值电压对发光器件的影响,使得发光器件在发光时的亮度更均匀。
搜索关键词: 薄膜晶体管 像素补偿 发光器件 扫描信号 公共接地端 存储电容 使能信号 漏极 薄膜晶体管阈值电压 电路 恒定直流电压 接入数据信号 补偿电路 栅极连接 第一端 源极 发光
【主权项】:
1.一种像素补偿电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的源极接入恒定直流电压信号;第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的第一端与所述第一薄膜晶体管的栅极连接,第二端与所述第一薄膜晶体管的漏极连接,所述第二薄膜晶体管的第三端接入第n级扫描信号;第三薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管的第一端与所述第一薄膜晶体管的漏极连接,所述第三薄膜晶体管的第二端通过所述发光器件与公共接地端连接,所述第三薄膜晶体管的第三端接入使能信号;第四薄膜晶体管,所述第四薄膜晶体管的第一端和第三端均接入第n‑1级扫描信号;存储电容,所述存储电容的第一端与所述第一薄膜晶体管的栅极以及所述第四薄膜晶体管的第二端连接;第五薄膜晶体管,所述第五薄膜晶体管的第一端与所述存储电容的第二端连接,所述第五薄膜晶体管的第二端接入数据信号,所述第五薄膜晶体管的第三端接入所述第n级扫描信号;第六薄膜晶体管,所述第六薄膜晶体管的第一端与所述存储电容的第二端连接,所述第六薄膜晶体管的第二端与公共接地端连接,所述第六薄膜晶体管的第三端接入所述使能信号;其中, 通过所述第n级扫描信号控制所述第二薄膜晶体管以及所述第五薄膜晶体管打开或关断,通过所述第n‑1级扫描信号控制所述第四薄膜晶体管打开或关断,通过所述使能信号控制所述第三薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管打开或关断。
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