[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201810351436.3 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108493251A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 黄昕;张帅 | 申请（专利权）人： | 张帅;黄昕 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海大视知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31314 | 代理人： | 蔡沅 |
| 地址： | 200233 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。由于该屏蔽栅场效应晶体管的制造方法中首先在沟槽底部形成底部氧化层，再于沟槽表面形成屏蔽栅氧化层，因此利用该方法形成的屏蔽栅场效应晶体管的屏蔽栅底部的氧化层厚度较其它位置更厚，可以达到减弱屏蔽栅底部电场的目的，从而避免屏蔽栅底部击穿，提升器件耐用性，且本发明的屏蔽栅场效应晶体管的结构简单，其制造方法工艺简便，成本也相当低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽栅场效应晶体管 屏蔽栅 制造 半导体技术领域 屏蔽栅氧化层 制造方法工艺 底部氧化层 沟槽表面 提升器件 电场 耐用性 氧化层 击穿 | ||
【主权项】：
1.一种屏蔽栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)在作为漏极的N+衬底上利用外延生长工艺产生N‑区；(2)在所述的N‑区上设置掩模版进行第一次刻蚀形成位于该N‑区内的沟槽；(3)在所述沟槽内壁上设置掩模版进行第二次刻蚀加深所述的沟槽形成沟槽底部；(4)在所述的沟槽底部形成底部介质层；(5)去除所述的掩模版和部分底部介质层；(6)在所述沟槽表面形成屏蔽栅介质层；(7)在所述沟槽内进行屏蔽栅多晶淀积并回刻；(8)淀积介质层覆盖所述的沟槽；(9)进行器件栅刻蚀、栅氧化、多晶硅淀积并刻蚀，形成位于所述沟槽顶部的栅极；(10)在所述的N‑区顶部进行P‑body区注入和退火，形成P‑body区；(11)在所述的P‑body区顶部沿所述的沟道进行N+注入；(12)利用后段工艺在器件顶部形成源极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张帅;黄昕，未经张帅;黄昕许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810351436.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
