[发明专利]一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路及其方法有效
申请号: | 201810351791.0 | 申请日: | 2018-04-19 |
公开(公告)号: | CN108335666B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 李晨;赖良德;张彤;张晓阳 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208 |
代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人: | 张伟 |
地址: | 210096 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路及其方法,该硅基OLED像素电路由6个金属‑氧化物‑半导体场效应管、1个存储电容和1个有机发光二极管构成。该硅基OLED像素电路及其补偿驱动管阈值电压漂移的方法在阈值电压补偿阶段把驱动管的阈值电压和数据电压存储在存储电容中,并使驱动管工作在饱和区,使得有机发光二极管的工作电流与驱动管的阈值电压无关,从而消除了驱动管阈值电压漂移对有机发光二极管工作电流的影响,提高了硅基OLED微显示器的亮度均匀性,改善微显示器的显示效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 补偿 驱动 阈值 电压 漂移 oled 像素 电路 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种补偿驱动管阈值电压漂移的硅基OLED像素电路,其特征在于,包括第一金属‑氧化物‑半导体场效应管、第二金属‑氧化物‑半导体场效应管、第三金属‑氧化物‑半导体场效应管、第四金属‑氧化物‑半导体场效应管、第五金属‑氧化物‑半导体场效应管、第六金属‑氧化物‑半导体场效应管、存储电容和有机发光二极管;其中,所述第一金属‑氧化物‑半导体场效应管的栅极接入第一扫描信号,其源级接入数据信号,其漏极电性连接于第一节点,其衬底接入地信号;所述第二金属‑氧化物‑半导体场效应管的栅极接入第二扫描信号,其源级接入参考电压,其漏极电性连接于第一节点,其衬底接入地信号;所述第三金属‑氧化物‑半导体场效应管的栅极电性连接于第二节点,其源级电性连接于第一节点,其漏极电性连接于第三节点,其衬底接入地信号;所述第四金属‑氧化物‑半导体场效应管的栅极接入第一扫描信号,其源级电性连接于第二节点,其漏极电性连接于第三节点,其衬底接入地信号;所述第五金属‑氧化物‑半导体场效应管的栅极接入第二扫描信号,其源级电性连接于第三节点,其漏极电性连接于第四节点,其衬底接入地信号;所述第六金属‑氧化物‑半导体场效应管的栅极接入第三扫描信号,其源级电性连接于第三节点,其漏极接入电源正电压,其衬底接入地信号;所述存储电容的一端电性连接于第二节点,其另一端接入地信号;所述有机发光二极管的阳极接入电源正电压,其阴极电性连接于第四节点。
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