[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱发光层、空穴提供层和P型氮化镓层，所述衬底的顶部设置有缓冲层，所述缓冲层的顶部设置有未掺杂氮化镓层，所述未掺杂氮化镓层的顶部设置有N型氮化镓层，所述N型氮化镓层的顶部设置有多量子阱发光层，所述多量子阱发光层的顶部设置有空穴提供层，所述空穴提供层的顶部设置有P型氮化镓层，包括如下步骤：步骤一，固定及切割；步骤二，退火；步骤三，倒角；步骤四，分档检测及分离；步骤五，研磨；步骤六，清洗；该方法，有利于多次清洗，同时有利于提升腐蚀的效率。

主权项

1.一种发光二极管的外延片，包括衬底(1)、缓冲层(2)、未掺杂氮化镓层(3)、N型氮化镓层(4)、多量子阱发光层(5)、空穴提供层(6)和P型氮化镓层(7)，其特征在于：所述衬底(1)的顶部设置有缓冲层(2)，所述缓冲层(2)的顶部设置有未掺杂氮化镓层(3)，所述未掺杂氮化镓层(3)的顶部设置有N型氮化镓层(4)，所述N型氮化镓层(4)的顶部设置有多量子阱发光层(5)，所述多量子阱发光层(5)的顶部设置有空穴提供层(6)，所述空穴提供层(6)的顶部设置有P型氮化镓层(7)。