[发明专利]用于测量晶片上的图案布置误差的方法和系统在审
| 申请号： | 201810353449.4 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108803235A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 金庆燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/76 | 分类号： | G03F1/76;G03F1/84;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于测量晶片上的图案布置误差(PPE)的方法包括接收光掩模图案。一个或多个单位单元图案被添加到光掩模图案。每个单位单元图案包括至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案。光掩模由其上添加有一个或多个单位单元图案的光掩模图案制造。使用所制造的光掩模对晶片进行图案化。获取图案化晶片的显微镜图像。测量至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案之间的位移作为图案布置误差。 | ||
| 搜索关键词： | 设计图案 图案布置 光掩模图案 测量晶片 单元图案 多个单位 光掩模 图案化晶片 显微镜图像 单位单元 掩模图案 参考 接收光 图案化 晶片 制造 测量 检查 图案 | ||
【主权项】：
1.一种用于测量晶片上的图案布置误差PPE的方法，包括：接收光掩模图案；将一个或多个单位单元图案添加到光掩模图案，每个单位单元图案包括至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案；根据其上添加有一个或多个单位单元图案的光掩模图案制造光掩模；使用制造的光掩模来图案化晶片；获取图案化晶片的显微镜图像；以及测量至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案之间的位移作为图案布置误差。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
