[发明专利]真空吸附底座在审
| 申请号： | 201810353919.7 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108538777A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 陈皓 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种真空吸附底座，用于真空吸附玻璃基板。所述真空吸附底座包括：基台、主底座和至少一个副底座；所述主底座固定于所述基台的表面，所述主底座包括远离所述基台的第一表面，所述第一表面设有第一吸附槽，所述主底座上设有与外部真空源连接的第一真空管道，所述第一吸附槽与所述第一真空管道连通；至少一个所述副底座可相对于所述主底座移动，至少一个所述副底座包括远离所述基台的表面设有第二吸附槽，至少一个所述副底座上设有与外部真空源连接的第二真空管道，所述第二吸附槽与所述第二真空管道连通。本发明所述真空吸附底座可灵活吸附各种不同尺寸的玻璃基板，节省了进行底座更换所需要的时间和人力，降低了成产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 真空吸附 主底座 真空管道 副底座 吸附槽 基台 底座 外部真空源 玻璃基板 第一表面 连通 底座更换 吸附 灵活 移动 | ||
【主权项】：
1.一种真空吸附底座，用于真空吸附玻璃基板，其特征在于，包括：基台、主底座和至少一个副底座；所述主底座固定于所述基台的表面，所述主底座包括远离所述基台的第一表面，所述第一表面设有第一吸附槽，所述主底座上设有与外部真空源连接的第一真空管道，所述第一吸附槽与所述第一真空管道连通；至少一个所述副底座可相对于所述主底座移动，至少一个所述副底座包括远离所述基台的表面设有第二吸附槽，至少一个所述副底座上设有与外部真空源连接的第二真空管道，所述第二吸附槽与所述第二真空管道连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
