[发明专利]一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜制备方法有效
| 申请号： | 201810354452.8 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108550450B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 孔雯雯;王倩;常爱民;姚金城 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04;H01C17/075;H01C17/08 |
| 代理公司： | 65106 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜的制备方法，该方法首先在硅衬底表面制备绝热缓冲层；然后再绝热缓冲层表面制备二氧化硅绝缘层；最后在二氧化硅绝缘层表面制备热敏薄膜，即得到具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜。其中所述的绝热缓冲层是在硅片表面生长硅柱、硅球或硅棒，从而形成具有不同结构特点的多孔硅基结构，利用孔隙内部储存的空气，实现热敏薄膜与硅衬底之间热绝缘的作用，使得热敏薄膜整体热容量和热耗散减小，加快热敏电阻的响应时间，可被研制成具有快响应特点的微型热敏电阻器，非常适用于快响应温度监测领域。 | ||
| 搜索关键词： | 绝热 热敏薄膜 制备 缓冲层结构 二氧化硅绝缘层 缓冲层 快响应 微型热敏电阻 硅衬底表面 缓冲层表面 表面制备 多孔硅基 硅片表面 热敏电阻 温度监测 硅衬底 热耗散 热绝缘 热容量 硅棒 硅球 硅柱 减小 储存 生长 响应 | ||
【主权项】：
1.一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜制备方法，其特征在于该方法按下列步骤进行：/na. 绝热缓冲层的制备：首先将购买的硅衬底（1）依次浸没于丙酮、无水乙醇、去离子水中进行超声洗涤3次，每次洗涤时间5-10分钟，取出硅衬底（1），利用高纯氮气吹干硅衬底（1）表面，然后在硅衬底（1）表面制作不同形状的掩膜，并将硅衬底（1）放入电子束蒸发设备的腔体内，在硅衬底（1）表面掩膜镂空处生长硅材料（2），形成硅柱、硅球或硅棒，通过调整电压1-2kV，蒸发时间5-60分钟，控制硅柱、硅球或硅棒的硅材料（2）的高度为10nm-200μm，利用硅柱、硅球或硅棒的空隙处的孔洞（3）中贮存的空气来实现热绝缘；/nb. 二氧化硅绝缘层制备：将步骤a制备所得硅衬底（1）放入热氧化炉中，温度500-1050℃，氧气气压10
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院新疆理化技术研究所，未经中国科学院新疆理化技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810354452.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
