[发明专利]一种硅片单面刻蚀抛光的方法

摘要

本发明公开了一种硅片单面刻蚀抛光的方法，包括：步骤1、使用碱液对硅片进行碱洗；2、使用去离子水对硅片进行清洗；3、使用碱液对硅片的下表面及侧面边缘进行刻蚀抛光；4、清洗硅片去除表面污染物；5、使用酸液对硅片进行酸洗；6、清洗硅片去除残留药液；7、烘干硅片。本发明使用碱性体系实现硅片单面刻蚀抛光，安全环保、成本低且品质好。

主权项

1.一种硅片单面刻蚀抛光的方法，所述硅片的上表面覆盖有PSG层，所述硅片的下表面及侧面边缘已去除PSG层，其特征在于包括：步骤1、利用硅片花篮将硅片放入第一碱洗槽，硅片浸泡在第一碱洗槽内的碱液中碱洗，去除硅片表面的污染物并形成一层氧化层；步骤2、将硅片放入第一水槽，硅片浸泡在第一水槽内的去离子水中清洗；步骤3、将硅片放入刻蚀抛光槽，硅片浸泡在刻蚀抛光槽内的碱液中，对硅片下表面及侧面边缘进行刻蚀抛光；步骤4、将硅片放入清洗槽组中清洗；步骤5、将硅片放入酸洗槽，硅片浸泡在酸洗槽内的酸液中酸洗；步骤6、将硅片放入水洗槽中清洗；步骤7、将硅片放入烘干槽组中干燥。