[发明专利]三维存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201810354801.6 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108447865B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周全 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器以及三维存储器的制造方法，该三维存储器包括核心存储电路以及外围电路，所述核心存储电路形成有至少一个存储串，所述三维存储器还包括：衬底，所述外围电路形成于所述衬底之上；共源极线层，形成于所述外围电路上，并与所述外围电路电连接；掺杂的半导体材料层，形成在所述共源极线层上，所述核心存储区设置在所述半导体材料层上。 | ||
| 搜索关键词： | 三维存储器 外围电路 核心存储 半导体材料层 共源极线 衬底 电路形成 掺杂的 电连接 制造 电路 存储 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，包括核心存储电路以及外围电路，所述核心存储电路形成有至少一个存储串，其特征在于，所述三维存储器还包括：衬底，所述外围电路形成于所述衬底之上；共源极线层，形成于所述外围电路上，并与所述外围电路电连接；掺杂的半导体材料层，形成在所述共源极线层上，所述核心存储电路设置在所述半导体材料层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
