[发明专利]一种掩膜版及其制造方法

摘要

本发明提供一种掩膜版及其制造方法，包括：衬底，具有相背的第一表面和第二表面，衬底内具有贯穿衬底的多个开口，衬底的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；位于第一表面的掩膜图形层，掩膜图形层的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；掩膜图形层具有图形区和遮挡区，图形区具有至少一个通孔，开口暴露出所述图形区，每一开口与一图形区相对且暴露出图形区中的所有通孔，遮挡区位于图形区的外侧、与衬底相对；顶层衬底层，位于掩膜图形层与第一表面相背的表面上，其中，顶层衬底层中具有贯穿顶层衬底层的多个凹槽，凹槽露出图形区，每一凹槽与一图形区相对且暴露出图形区中的所有通孔。

主权项

1.一种掩膜版，其特征在于，包括：衬底，具有相背的第一表面和第二表面，所述衬底内具有贯穿所述衬底的多个开口，所述衬底的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；位于所述第一表面的掩膜图形层，所述掩膜图形层的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；所述掩膜图形层具有图形区和遮挡区，每一所述图形区具有至少一个通孔，所述开口暴露出所述图形区，每一所述开口与一所述图形区相对且暴露出图形区中的所有通孔，所述遮挡区位于所述图形区的外侧、与所述衬底相对；顶层衬底层，位于所述掩膜图形层与所述第一表面相背的表面上，其中，所述顶层衬底层中具有贯穿所述顶层衬底层的多个凹槽，所述凹槽露出所述图形区，每一所述凹槽与一所述图形区相对且暴露出图形区中的所有所述通孔。