[发明专利]湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺在审
| 申请号： | 201810355625.8 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108611681A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 吉鑫;阮文娟;宫龙飞 | 申请（专利权）人： | 苏州协鑫光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/10;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王乐 |
| 地址： | 215153 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺。包括以下步骤：判断湿法黑硅硅片不良品的绒面结构是否合格，若湿法黑硅硅片不良品的绒面结构合格，则采用步骤A；若湿法黑硅硅片不良品的绒面结构不合格，则采用步骤B；其中，步骤A包括如下步骤：将湿法黑硅硅片不良品依次经碱洗、纯水漂洗以及酸洗，以除去湿法黑硅硅片不良品表面的脏污，得到再处理之后的湿法黑硅硅片。其中，步骤B包括如下步骤：将湿法黑硅硅片不良品依次经碱抛光、金属沉积、金属诱导催化、金属祛除、扩孔、碱洗以及酸洗，得到再处理之后的湿法黑硅硅片。经过本发明的湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺处理之后的湿法黑硅硅片减重较少，能够避免影响黑硅硅片后续使用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 黑硅 湿法 不良品 再处理 绒面结构 碱洗 酸洗 纯水漂洗 工艺处理 金属沉积 金属诱导 抛光 减重 扩孔 脏污 催化 金属 | ||
【主权项】：
1.一种湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺，其特征在于，所述的湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺包括以下步骤：判断湿法黑硅硅片不良品的绒面结构是否合格，若湿法黑硅硅片不良品的绒面结构合格，则采用步骤A；若湿法黑硅硅片不良品的绒面结构不合格，则采用步骤B；其中，所述步骤A包括如下步骤：将湿法黑硅硅片不良品依次经碱洗、纯水漂洗以及酸洗，以除去所述湿法黑硅硅片不良品表面的脏污，得到再处理之后的湿法黑硅硅片；所述碱洗的操作为：采用质量浓度为0.1％～5％的碱溶液进行清洗，清洗温度为20℃～28℃，清洗时间为10s～110s；所述酸洗的操作为：采用酸溶液进行清洗，清洗温度为20℃～28℃，清洗时间为30s～150s；其中，所述酸溶液包括如下质量份数的各组分：质量分数为35％～37％的盐酸 5～30；以及质量分数为48％～50％的氢氟酸 5～25；其中，所述步骤B包括如下步骤：将湿法黑硅硅片不良品依次经碱抛光、金属沉积、金属诱导催化、金属祛除、扩孔、碱洗以及酸洗，得到再处理之后的湿法黑硅硅片；其中，碱抛光的操作为：采用质量浓度为0.1％～3％的碱溶液进行清洗，清洗温度为63℃～80℃，清洗时间为150s～230s。
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