[发明专利]一种降低多晶硅铸锭位错的高效籽晶层在审
| 申请号： | 201810355666.7 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108486652A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 张福军;杨艳红;孔令奇 | 申请（专利权）人： | 常熟华融太阳能新型材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 215500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明为一种降低多晶硅铸锭位错的高效籽晶层，包含以下两层结构，底层为SiC层，所述SiC颗粒大小为20‑200目，表层为Si颗粒层，所述Si颗粒大小为20‑80目，所述SiC层颗粒均匀，杂质总量<10ppm，通过喷涂，涂覆等方式粘附在坩埚内底，所述的Si颗粒层颗粒均匀，杂质总量<10ppm，通过喷涂，涂覆等方式粘附在SiC层上，本发明的高效籽晶层，可有效降低由于坩埚导热性差而引起的铸锭位错。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶层 位错 多晶硅铸锭 杂质总量 喷涂 涂覆 粘附 坩埚 导热性 颗粒层颗粒 两层结构 颗粒层 铸锭 | ||
【主权项】：
1.一种降低多晶硅铸锭位错的高效籽晶层，其特征在于：包含以下两层结构，底层为SiC层（1），所述SiC颗粒大小为20‑200目，表层为Si颗粒层（2），所述Si颗粒大小为20‑80目。
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