[发明专利]一种改善多晶硅铸锭晶花的氮化硅免喷涂涂层及其制作方法在审
| 申请号： | 201810356338.9 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108560046A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张福军;杨艳红;孔令奇;邵雨月 | 申请（专利权）人： | 常熟华融太阳能新型材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 215500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明为一种改善多晶硅铸锭晶花的氮化硅免喷涂涂层及其制作方法，包含以下成分：30%‑60%（重量）的氮化硅，所述氮化硅的α相含量为10%‑50%（数量）；0.1%‑5%（重量）的气相二氧化硅，0.1%‑10%（重量）有机粘结剂，所述有机粘结剂为PVA，PVP或PAM中的任何一种或其组合，30%‑50%（重量）的去离子水。本发明可以有效避免多晶硅生产时发生的粘埚裂锭问题，同时改善由于常规氮化硅喷涂不当而导致的晶花不均问题。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅 多晶硅铸锭 有机粘结剂 喷涂涂层 气相二氧化硅 氮化硅喷涂 多晶硅生产 去离子水 制作 | ||
【主权项】：
1. 一种改善多晶硅铸锭晶花的氮化硅免喷涂涂层，其特征在于：包含以下成分：30%‑60%（重量）的氮化硅，所述氮化硅的α相含量为10%‑50%（数量）；0.1%‑5%（重量）的气相二氧化硅； 0.1%‑10%（重量）有机粘结剂，所述有机粘结剂为PVA，PVP或PAM中的一种或其任意组合；30%‑50%（重量）的去离子水。
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