[发明专利]新型氧化物薄膜晶体管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810356389.1 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108336148A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 彭河蒙;潘月宏;罗东向;阳川;张勇;陈柏米;周洋平 | 申请（专利权）人： | 重庆赛宝工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吕小琴 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种新型氧化物薄膜晶体管器件，由下往上依次包括基层、绝缘层、氧化物层、氧化钼层、电偶极子层、源极和漏极；所述氧化钼层包括左氧化钼层和右氧化钼层且间隔覆盖于氧化层上表面横向左、右侧，所述源极和漏极分别覆盖于左氧化钼层和右氧化钼层且电偶极子层覆盖于氧化物层上表面上位于左氧化钼层和右氧化钼层之间处；本发明相比原有的氧化物薄膜晶体管器件结构多了一层电偶极子层，该电偶极子层能在不损伤氧化物层的前提下有效修饰氧化物表面以提高器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钼层 电偶极子层 氧化物层 薄膜晶体管器件 新型氧化物 上表面 漏极 源极 氧化物薄膜晶体管 绝缘层 器件稳定性 氧化物表面 间隔覆盖 器件结构 氧化层 原有的 覆盖 修饰 制备 损伤 基层 | ||
【主权项】：
1.一种新型氧化物薄膜晶体管器件，其特征在于：由下往上依次包括基层、栅极、绝缘层、氧化物层、氧化钼层、电偶极子层、源极和漏极；所述氧化钼层包括左氧化钼层和右氧化钼层且间隔覆盖于氧化层上表面横向左、右侧，所述源极和漏极分别覆盖于左氧化钼层和右氧化钼层且电偶极子层覆盖于氧化物层上表面上位于左氧化钼层和右氧化钼层之间处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆赛宝工业技术研究院，未经重庆赛宝工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810356389.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
