[发明专利]一种CaSnO3/Ag/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201810357716.5 | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN108588658A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 吴木营;何林;周晓海;许文杰 | 申请(专利权)人: | 东莞理工学院 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/20;C23C14/08;H01B5/14 |
代理公司: | 北京汇彩知识产权代理有限公司 11563 | 代理人: | 彭逊 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种CaSnO3/Ag/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法,通过磁控溅射沉积法制备得到,所述导电薄膜包括上下两层CaSnO3层、CaSnO3层中间夹着Ag层以及透明柔性衬底。制得的CaSnO3/Ag/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜的性能优良,成本低廉,适合工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 柔性透明导电薄膜 多层结构 制备 磁控溅射沉积 导电薄膜 上下两层 透明柔性 衬底 | ||
【主权项】:
1.一种CaSnO3/Ag/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜,通过磁控溅射沉积法制备得到,所述导电薄膜包括上下两层CaSnO3层、CaSnO3层中间夹着Ag层以及透明柔性衬底;所述CaSnO3层的厚度为20nm~50nm,所述Ag层的厚度为7nm~13nm,所述透明柔性衬底可以为聚碳酸酯衬底、聚对苯二甲酸类衬底、聚萘二甲酸乙二醇酯衬底中任意一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞理工学院,未经东莞理工学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810357716.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类