[发明专利]一类基于咔唑-蒽结构的空穴传输聚合物材料的开发与应用在审

专利信息
申请号: 201810358163.5 申请日: 2018-04-10
公开(公告)号: CN108727566A 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 苏州和颂生化科技有限公司
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;H01L51/46
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215200 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明开发一类基于咔唑‑蒽结构的空穴传输聚合物材料:其化学结构式为:其中n的值为1‑100;A为具有π共轭结构的单元,选自下列单元中的一种:R1为下列基团中的一种:R2为下列基团中的一种:本发明开发的这类空穴传输聚合物材料具有稳定性好、溶解性能好、高载流子迁移率、能级易调控等优点,在钙钛矿太阳能电池中比传统空穴传输材料PEDOT:PSS体现出明显的优势,展示出在有机发光二极管、有机薄膜晶体管、有机太阳能电池、有机存储等有机电子领域中的潜在而广泛的应用前景。
搜索关键词: 空穴传输聚合物 蒽结构 咔唑 有机薄膜晶体管 有机发光二极管 有机太阳能电池 能级 空穴传输材料 载流子迁移率 化学结构式 太阳能电池 共轭结构 溶解性能 有机电子 钙钛矿 开发 应用 存储 调控 展示
【主权项】:
1.一类基于咔唑‑蒽结构的空穴传输聚合物材料,其化学结构如下:其中n的值为1‑100;A为具有π共轭结构的单元,选自下列单元中的一种:R1为下列基团中的一种:R2为下列基团中的一种:
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