[发明专利]单晶硅锭及其制造方法以及单晶硅晶片在审
| 申请号： | 201810360583.7 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN110387578A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 原田和浩;降屋久 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种没有由晶体引起的缺陷、且如铁元素那样的金属元素的污染度小、电气特性优异的单晶硅锭及其制造方法以及单晶硅晶片。所述单晶硅锭通过CZ法培育，并且不存在空位型点缺陷的凝集体及间隙硅点缺陷的凝集体，所述单晶硅锭的特征在于，铁污染浓度为2×109atoms/cm3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅锭 单晶硅晶片 点缺陷 凝集体 电气特性 金属元素 空位 间隙硅 铁污染 铁元素 污染度 制造 培育 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅锭，其不存在空位型点缺陷的凝集体及间隙硅型点缺陷的凝集体，并且通过切克劳斯基法培育，所述单晶硅锭的特征在于，铁污染浓度为2×109atoms/cm3以下。
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