[发明专利]一种基于DMPPP的荧光染料掺杂的深蓝色OLEDs的检测方法在审
申请号: | 201810365244.8 | 申请日: | 2018-04-23 |
公开(公告)号: | CN108550533A | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 张刚;赵丽娜;董贺;黄涛;姜文龙;柴源;高永慧 | 申请(专利权)人: | 吉林师范大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L51/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 136000 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于DMPPP的荧光染料掺杂的深蓝色OLEDs的检测方法,主要包括器件制作以及器件实验,本发明可以有效的对掺杂层厚度对深蓝光器件性能的影响以及掺杂层浓度对深蓝光器件性能的影响进行实验检测,所获取的信息准确,有效的提供了产品制作标注,间接的提高了产品的性能。 | ||
搜索关键词: | 荧光染料 掺杂层 掺杂的 光器件 深蓝色 产品制作 器件制作 实验检测 检测 标注 | ||
【主权项】:
1.一种基于DMPPP的荧光染料掺杂的深蓝色OLEDs的检测方法,其特征在于,具体包括以下实验:a、实验器件制备采用器件的结构为:ITO/m‑MTDATA(20nm)NPB(10nm)/DMPPP:BCzVBi(5nm,x wt.%)/Bphen(30nm)/Cs2 CO3:Ag2O(20wt.%,1nm)/Al(100nm);空穴注入层为m‑MTDATA,空穴传输层为NPB,DMPPP:BCzVBi为深蓝光层,Bphen电子传输层和空穴阻挡层,电子注入层为Cs2CO3:Ag2O,Al为阴极;实验中将ITO玻璃衬底用清洁剂、丙酮、乙醇、去离子水反复擦洗、超声,然后放到恒温箱中干燥;器件的制备在多源有机分子气相沉积系统中进行,将所用材料分别放在不同的蒸发源(石英坩埚)中,每个蒸发源的温度进行单独控制,按设计的结构生长不同的有机材料层,在有机物生长的过程中系统的真空度维持在2.5×10‑4Pa左右,蒸发速度控制在0.1~0.2nm/s,对于金属其真空度维持在3×10‑3Pa左右;b、实验器件性能检测器件的电致发光谱、亮度、色度以及电流、电压特性采用由美国生产的PR655光度计和Keithley‑2400电流‑电压源组成的测试系统进行同步测量;有机膜的厚度是由上海产的FTM‑V型石英晶体膜厚仪来监测的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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