[发明专利]半导体基板的清洗干燥方法在审

专利信息
申请号: 201810366118.4 申请日: 2018-04-23
公开(公告)号: CN108807140A 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 荻原勤;渡边修;永田岳志;小林直贵;郡大佑 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/67
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;谢顺星
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体基板的清洗干燥方法,其可在不用特殊装置的情况下,抑制对清洗基板后的清洗液进行干燥时发生的图案倒塌或损坏及图案底部的树脂分解,能有效去除清洗液,其特征在于包括以下工序:(I)用清洗液清洗形成图案的半导体基板;(II)用包含含通式(1)所示的重复单元的树脂(A)及溶剂的组合物置换所述基板上残留的清洗液并以小于所述树脂(A)的分解温度的温度加热去除该已置换的组合物中的溶剂;(III)通过将所述半导体基板保持0℃以上且小于所述树脂(A)的分解温度的温度并同时对所述树脂(A)吹气温度为所述树脂(A)的分解温度以上的气体,从与所述气体接触的表面侧分解去除所述树脂(A)。
搜索关键词: 树脂 半导体基板 清洗液 分解 去除 清洗干燥 溶剂 置换 图案 气体接触 清洗基板 图案倒塌 基板 加热 清洗 残留 气温
【主权项】:
1.一种半导体基板的清洗干燥方法,该方法为清洗形成有图案的半导体基板并使其干燥的方法,其特征在于,包括:(I)工序:用清洗液清洗所述形成有图案的半导体基板;(II)工序:使用包含含有具有下述通式(1)所示的缩醛结构的重复单元的树脂(A)及溶剂的组合物来置换所述半导体基板上残留的所述清洗液,并以小于所述树脂(A)的分解温度的温度加热去除该已置换的组合物中的溶剂;以及(III)工序:通过将所述形成有图案的半导体基板保持在0℃以上且小于所述树脂(A)的分解温度的温度,并同时对所述树脂(A)吹气温度为所述树脂(A)的分解温度以上的气体,从与所述气体接触的表面侧分解去除所述树脂(A),[化学式1]式中,R1为氢原子、或为可被取代的碳原子数为1~30的饱和或不饱和的一价有机基团;W是碳原子数为2~30的饱和或不饱和的二价有机基团。
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