[发明专利]一种绶草种子快速育苗的方法

摘要

本发明涉及一种繁殖绶草的方法，特别涉及一种绶草快速育苗的方法，属于植物组织培养技术领域，包括以下依序进行的步骤：(1)采集阶段：每年5月至6月采集蒴果的绶草果穗备用；(2)装袋：将蒴果及种子装入灭菌袋中；(3)灭菌处理：灭菌袋进行灭菌处理，灭菌好的蒴果及种子放入无菌容器内备用；(4)初代培养阶段：将种子培养至萌发形成原球茎或小芽；(5)继代成苗阶段：将原球茎或小芽接种到继代壮苗与生根培养基中进行继代培养；本发明提供的一种绶草种子快速育苗的方法以绶草种子为繁殖材料，优化育苗步骤；无需经过细胞的脱分化和再分化，并且小苗均由胚发育而来，形成的小苗整齐一致，解决了绶草人工栽培中种苗短缺的难题。

主权项

1.一种绶草种子快速育苗的方法，其特征在于：所述的方法包括以下依序进行的步骤：(1)外植体的采集阶段于每年5月至6月采集带有发育饱满的蒴果的绶草果穗备用；(2)装袋将步骤(1)采集的蒴果及从蒴果中脱离的种子装入纱网灭菌袋中；(3)灭菌处理将步骤(2)的装有蒴果及从蒴果中脱离的种子的纱网灭菌袋进行灭菌处理，取出灭菌好的蒴果及从蒴果中脱离的种子，放入铺有无菌滤纸的无菌容器内备用；(4)初代培养阶段将步骤(3)灭菌处理后的蒴果中的种子剥离出来，并且将从蒴果中剥离出来的种子和从蒴果中脱离的种子共同接种到初代培养基进行初代培养至萌发形成原球茎或小芽；其中，所述的初代培养环境温度为21‑25℃，光照强度为2500‑3500Lx，光照周期为10‑14h/d，培养周期为20‑40天；(5)继代成苗阶段将步骤(4)初代培养萌发所形成的原球茎或小芽，接种到继代壮苗与生根培养基中进行继代培养；其中，所述的继代培养的培养环境温度为21‑25℃，光照强度为3000‑4500Lx，光照周期为10‑14h/d，培养周期为50‑90天。