[发明专利]优选相变存储器写操作电流的系统及方法有效
| 申请号： | 201810368154.4 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108597558B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 吴磊;陈一峰;蔡道林;卢瑶瑶;刘源广;闫帅;李阳;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56;G06F30/33 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种优选相变存储器写操作电流的系统及方法，该方法包括：基于写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使其由最小写操作电流依次增大至最大写操作电流；每次获取写操作电流后，对待操作单元进行写操作并对其进行电学测试，获取与写操作电流对应的电阻数据及V‑I特性曲线；每次写操作之前还基于相同预设擦参数对待操作单元进行擦操作；对不同写操作电流对应的电阻数据进行统计分析，筛选出使待操作单元成功进行写操作的真写操作电流；并对真写操作电流对应的V‑I特性曲线进行拟合获取若干亚阈值斜率；及对获取的各亚阈值斜率进行统计分析获取最优写操作电流。通过本发明，解决了现有方法无法筛选出最优写操作电流的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 优选 相变 存储器 操作 电流 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种优选相变存储器写操作电流的方法，其特征在于，所述方法包括：设定所述相变存储器的最小写操作电流、最大写操作电流及写操作电流变化步长，并从所述相变存储器中选取若干待操作单元；基于所述写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使所述写操作电流由所述最小写操作电流依次增大至所述最大写操作电流；在每次获取所述写操作电流后，基于所述写操作电流对所述待操作单元进行写操作，并在写操作结束后，对所述待操作单元进行电学测试，获取与所述写操作电流对应的电阻数据及V‑I特性曲线；其中，每次对所述待操作单元进行写操作之前，还包括基于相同预设擦参数对所述待操作单元进行擦操作；对不同所述写操作电流对应的电阻数据进行统计分析，筛选出使所述待操作单元成功进行写操作的真写操作电流；并对所述真写操作电流对应的V‑I特性曲线进行拟合，获取所述真写操作电流对应的亚阈值斜率；以及对获取的所述亚阈值斜率进行统计分析，获取所述相变存储器的最优写操作电流。
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