[发明专利]一种阻性类金刚石碳基薄膜材料的制备方法有效
申请号: | 201810369646.5 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN108707863B | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 尚伦霖;周意;吕游;张广安;鲁志斌;刘建北 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/02 |
代理公司: | 62002 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人: | 周瑞华 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了一种阻性类金刚石碳基薄膜材料的制备方法,该方法适合于采用非平衡直流磁控溅射沉积技术在微结构气体探测器电极基体表面依次通过高能等离子体轰击、刻蚀和溅射高纯石墨靶材而制备类金刚石碳基薄膜材料。通过本发明方法不仅可以制备出厚度均匀性好、膜基结合力强的类金刚石碳基薄膜材料,同时可以调控类金刚石碳基薄膜的面电阻率。本发明方法所制备的阻性类金刚石碳基薄膜材料适合用于制作微结构气体探测器的阻性电极,具有很好的应用前景和价值。 | ||
搜索关键词: | 类金刚石碳 基薄膜 制备 阻性 气体探测器 微结构 高能等离子体 直流磁控溅射 高纯石墨靶 厚度均匀性 膜基结合力 电极基体 方法适合 面电阻率 电极 非平衡 溅射 刻蚀 沉积 轰击 调控 制作 应用 | ||
【主权项】:
1.一种阻性类金刚石碳基薄膜材料的制备方法,其特征在于具体步骤为:/n1)高纯石墨靶材表面溅射清洗/n将真空腔室内背底真空预抽至1×10
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