[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，充分抑制凹凸的影响，不需要磨削后追加的作业。该加工方法包含：保护膜紧贴步骤，利用保护膜对在正面上具有器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域的晶片的除了外周剩余区域以外的器件区域进行覆盖，使保护膜效仿凹凸而紧贴在正面侧，其中，在器件区域形成有具有该凹凸的器件；带保护部件的晶片形成步骤，利用由通过外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成的保护部件来包覆保护膜和露出的外周剩余区域，形成晶片的正面侧被保护部件覆盖的带保护部件的晶片；磨削步骤，在利用卡盘工作台的保持面对带保护部件的晶片的保护部件侧进行了保持的状态下磨削晶片的背面而使晶片变薄；和剥离步骤，将保护部件和保护膜从已变薄的晶片剥离。

主权项

1.一种晶片的加工方法，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护膜紧贴步骤，利用保护膜对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的除了该外周剩余区域以外的该器件区域进行覆盖，使该保护膜效仿凹凸而紧贴在该正面侧，其中，在所述器件区域中形成有具有所述凹凸的器件；带保护部件的晶片形成步骤，利用由通过外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成的保护部件对该保护膜和露出的该外周剩余区域进行包覆，形成由该保护部件对该晶片的该正面侧进行覆盖的带保护部件的晶片；磨削步骤，在利用卡盘工作台的保持面对该带保护部件的晶片的该保护部件侧进行了保持的状态下，对该晶片的背面进行磨削，使该晶片变薄；以及剥离步骤，将该保护部件和该保护膜从已变薄的该晶片剥离。