[发明专利]一种抗衰减掺硼电池组件及其生产方法

摘要

本发明公开一种抗衰减掺硼电池组件及其生产方法，先将电池串、玻璃、EVA和背板进行叠层，再对叠层结构进行预层压；再对叠层结构的电极施加正向偏压；再对叠层结构进行层压，层压过程中，对叠层结构施加正向偏压；层压结束后，将叠层结构降温至80‑120摄氏度；再在80‑120摄氏度下对叠层结构进行光照，同时对叠层结构的电极施加正向偏压；最后将叠层结构冷却至工艺要求温度，流出叠层结构并进入下一工序。本发明在注入非平衡载流子过程中充分利用了层压工序的各个工序热历史，降低和抑制晶体硅太阳能组件光致衰减，同时组件层压后也整合了电注入及光注入工艺，整个工艺流程简单方便利于实现产业化推广，也降低了整个组件制造的成本。

主权项

1.一种抗衰减掺硼电池组件的生产方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，将电池串、玻璃、EVA和背板按照光伏组件设计版型进行叠层，形成叠层结构；步骤2，对叠层结构进行预层压；步骤3，再对进行完步骤2的叠层结构的电极施加正向偏压，施加时间为300‑600s，电流大小为6‑12A；步骤4，再对进行完步骤3的叠层结构进行层压，层压过程中，对叠层结构的电极施加正向偏压，施加时间为300‑600s，电流大小为6‑12A；步骤5，待步骤4层压结束后，将叠层结构降温至80‑120摄氏度，再将叠层结构输出；步骤6，再在80‑120摄氏度下对进行完步骤5的叠层结构进行光照，光强为1kW/m2‑30kW/m2，同时对叠层结构的电极施加正向偏压，施加时间为300‑600s，电流大小为6‑12A；步骤7，待步骤6结束后，将叠层结构冷却至工艺要求温度，流出叠层结构并进入下一工序。