[发明专利]一种闪存存储器及其编程验证系统和编程验证方法

摘要

本发明公开了一种闪存存储器及其编程验证系统和编程验证方法，在编程循环过程中，利用对编程页相应字线施加当前编程电压完毕后的编程等待恢复时间内，对上一次编程循环存储的验证结果进行统计计数，且根据统计计数情况进行判断处理等过程，进而能够省去现有技术中对编程页相应字线施加验证电压后的对验证结果进行统计计数和判断处理的时间，最终达到缩短整体编程验证时间，提高芯片性能的目的。

主权项

1.一种闪存存储器的编程验证方法，所述闪存存储器包括非易失性半导体存储单元阵列，所述非易失性半导体存储单元阵列包括多个页，且每一页包括多个存储单元，其特征在于，所述编程验证方法包括：通过以下操作对所述多个页中选取的编程页执行第N次编程循环：将当前编程电压施加至所述编程页的相应字线进行编程；在所述当前编程电压施加结束后，对第N‑1次编程循环时存储的编程验证结果进行计数，以对所述编程页的存储单元的编程不成功个数进行统计；判断所述编程页的存储单元的编程不成功个数是否在允许范围内，若是，则判定编程成功；若否，则判断所述第N次编程循环是否达到编程循环次数上限，若是，则判定编程失败；若否，则对所述编程页的相应字线施加验证电压进行编程验证感应操作，并在所述编程验证感应操作结束后在页缓存电路中存储每一存储单元在所述第N次循环编程后的编程验证结果；将所述当前编程电压升高一定数值后，按照上述编程循环过程对所述编程页执行第N+1次编程循环，N为不小于2的整数。