[发明专利]Co-Cr-Pt-B型合金溅射靶及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810374017.1 申请日: 2012-05-22
公开(公告)号: CN108642456B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 森下雄斗;荻野真一;中村祐一郎 申请(专利权)人: 吉坤日矿日石金属株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C22C30/00;C22C5/04;C22C19/07;C22F1/10;C22F1/14;G11B5/851
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 胡嵩麟;王海川
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及Co‑Cr‑Pt‑B型合金溅射靶及其制造方法。一种Co‑Cr‑Pt‑B型合金溅射靶,其特征在于,100μm×100μm面积(视野)内的富B相中的0.1~20μm的裂纹数为10个以下。一种Co‑Cr‑Pt‑B型合金溅射靶的制造方法,其特征在于,对Co‑Cr‑Pt‑B型合金铸锭进行热锻或热轧后,进行伸长率为4%以下的冷轧或冷锻,进行机械加工而制成靶,使100μm×100μm面积(视野)内的富B相中的0.1~20μm的裂纹数为10个以下,或者,对上述铸锭进行热锻或热轧后,骤冷至‑196℃~100℃,进行机械加工而制成靶。本发明的靶的漏磁通密度高且富B层中微裂纹少,因此,能够稳定地放电,抑制电弧。
搜索关键词: co cr pt 合金 溅射 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种Co‑Cr‑Pt‑B型合金溅射靶,其特征在于,Cr为1~40原子%,Pt为1~30原子%,B为0.2~25原子%,剩余部分由Co及不可避免的杂质构成,100μm×100μm面积(视野)内的富B相中的0.1~20μm的裂纹数为10个以下,相对于溅射面,水平方向的最大磁导率(μmax)为20以下,相对于溅射面,水平方向的矫顽力(Hc)为35Oe以上。
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