[发明专利]晶格缺陷调控正交发射稀土上转换纳米颗粒及制备方法有效
申请号: | 201810374292.3 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN108441220B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 张勇 | 申请(专利权)人: | 合肥亨纳生物科技有限公司 |
主分类号: | C09K11/85 | 分类号: | C09K11/85 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 230000 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: |
本发明公开一种晶格缺陷调控正交发射稀土上转换纳米颗粒及制备方法,通过Mn |
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搜索关键词: | 晶格 缺陷 调控 正交 发射 稀土 转换 纳米 颗粒 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.晶格缺陷调控正交发射稀土上转换纳米颗粒,其特征在于:该稀土上转换纳米颗粒通过Mn2+、Tm3+金属离子与发光中心Er3+离子的共掺杂,在上转换纳米材料晶格中引入缺陷,通过缺陷来调节稀土离子之间的能量传递途径,调控其发光颜色。
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