[发明专利]一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置有效
申请号: | 201810376316.9 | 申请日: | 2018-04-25 |
公开(公告)号: | CN108277479B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 谢毅;周丹;谢泰宏;张冠纶;张忠文 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | C23C16/517 | 分类号: | C23C16/517;C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 李文渊 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置,包括射频机构、沉积箱以及透波板,所述进气管连接于进气口上,所述出气管连接于出气口上;所述进气管和出气管之间设置有均流管,所述均流管两侧分别设置有射频机构,所述透波板设置于衬底和射频板之间,且透波板活动连接于均流管靠近射频板一侧。本发明在进气管和出气管之间设置有均流管,用来引导气流,能够同时进行多组硅片的镀膜工作,并且通过透波板的设置,使得放置在衬底上的硅片与透波板之间的间距可以调节至1‑2mm,使得气流在流动时,仅仅通过硅片与透波板之间的狭窄间距,可以气流可以更加容易进行均匀分布和流动,以达到更好的镀膜效果,十分值得推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 控制 气流 均匀 平稳 pecvd 装置 | ||
【主权项】:
1.一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置,包括射频机构、沉积箱(1)以及透波板(9),沉积箱(1)两端分别开设有进气口(2)和出气口(3),其特征在于:所述沉积箱(1)内腔中设置有进气管(4)、出气管(5)和加热装置(10),所述进气管(4)连接于进气口(2)上,所述出气管(5)连接于出气口(3)上;所述进气管(4)和出气管(5)之间设置有均流管(8),所述均流管(8)两侧分别设置有射频机构,所述射频机构包括平行设置的衬底(6)、射频板(7)以及透波板(9),所述透波板(9)设置于衬底(6)和射频板(7)之间,且透波板(9)活动连接于均流管(8)靠近射频板(7)一侧,所述衬底(6)与透波板(9)之间设置有间距1mm‑10mm。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的