[发明专利]一种降低氧气使用量的磷吸杂扩散工艺

摘要

本发明公开了一种降低氧气使用量的磷吸杂扩散工艺，步骤(4)前氧化的具体步骤为：S1、时间为30—40s，氧气流量为1—2L/min；S2、时间为50—60s，氧气流量为2—2.5L/min；S3、时间为70—90s，氧气流量为2—3L/min；步骤(11)后氧化的具体步骤为：S1、时间为60—400s，氧气流量为0.5—0.8L/min；S2、时间为80—500s，氧气流量为0.8—1L/min；S3、时间为100—900s，氧气流量为1—2L/min。本发明制备的硅片通过四探针测试的方块电阻在75—85Ω/□；后续的刻蚀、PECVD、丝印烧结等通过传统工艺完成，做出的电池片平均转换效率比传统工艺提升了0.2％以上，而且相对传统扩散工艺，该工艺可以有效的降低氧化过程中氧气的使用量，大大降低了工艺工业成本，十分值得推广。

主权项

1.一种降低氧气使用量的磷吸杂扩散工艺，包括以下步骤：(1)、开始：时间为5—20s，温度设置为770—790℃，大氮流量为4—15L/min，小氮和氧气的流量均为0L/min；(2)、进舟：时间为500—900s，温度设置为770—790℃，大氮流量为4—15L/min，小氮和氧气的流量为0L/min，进舟速度为300—600mm/min；(3)、升温：时间为300—800s，温度设置为770—790℃，大氮流量为10—25L/min，小氮和氧气的流量均为0L/min；(4)、前氧化；(5)、第一次沉积：时间为600—1200s，温度设置为770—790℃，大氮流量为10—25L/min，小氮流量为0.9—2.2L/min，氧气流量为0.3—2.2L/min；(6)、第一次推进：时间为400—700s，温度设置为790—810℃，大氮流量为10—25L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0—2L/min；(7)、第二次沉积：时间为400—700s，温度设置为790—810℃，大氮流量为10—25L/min，小氮流量为0.9—2.2L/min，氧气流量为0.3—2.2L/min；(8)、第二次推进：时间为300—600s，温度设置为810—830℃，大氮流量为10—25L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0—2L/min；(9)、第三次沉积：时间为200—600s，温度设置为810—830℃，大氮流量为10—25L/min，小氮流量为0.9—2.2L/min，氧气流量为0.3—2.2L/min；(10)、第三次推进：时间为150—400s，温度设置为830—850℃，大氮流量为10—25L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0—2L/min；(11)、后氧化；(12)、出舟：时间为700—1200s，温度设置为700—800℃，大氮流量为4—15L/min，小氮和氧气的流量为0L/min，出舟速度为200—400mm/min；(13)、结束：时间为5—20s，温度设置为750—800℃，大氮流量为4—15L/min，小氮和氧气的流量均为0L/min；(14)、冷却：将上述硅片冷却至室温，即得所要求的硅片；其特征在于，步骤(4)前氧化的具体步骤为：S1、时间为30—40s，温度设置为800—820℃，大氮流量为15—20L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为1—2L/min；S2、时间为50—60s，温度设置为820—840℃，大氮流量为15—20L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为2—2.5L/min；S3、时间为70—90s，温度设置为840—880℃，大氮流量为15—20L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为2—3L/min；步骤(11)后氧化的具体步骤为：S1、时间为60—400s，温度设置为750—810℃，大氮流量为20—25L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0.5—0.8L/min；S2、时间为80—500s，温度设置为810—830℃，大氮流量为20—25L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为0.8—1L/min；S3、时间为100—900s，温度设置为830—850℃，大氮流量为20—25L/min，小氮流量为0L/min，氧气流量为1—2L/min。