[发明专利]一种利用分子束外延设备生长大尺度砷化镉薄膜的方法在审
| 申请号： | 201810377140.9 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108660508A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 修发贤;凌霁玮 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜制备技术领域，具体一种利用分子束外延设备生长大尺寸砷化镉薄膜的方法。本发明方法，利用云母作为衬底，首先生长碲化镉作为缓冲层，利用砷化镉非晶块体材作为热蒸发源，以较低温度生长砷化镉低温缓冲层,随后在较高温度生长砷化镉薄膜至所需厚度。本发明与现有技术相比，使用经济的云母作为衬底，衬底处理工艺简单，采用非晶砷化镉蒸发源对设备要求低，工艺简单可获得晶圆级单晶薄膜，样品尺寸可达两英寸；薄膜单晶质量好，迁移率高。薄膜单晶质量好，迁移率高。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化 生长 镉薄膜 分子束外延设备 云母 薄膜单晶 迁移率 衬底 非晶 薄膜制备技术 低温缓冲层 衬底处理 单晶薄膜 热蒸发源 大尺度 对设备 缓冲层 晶圆级 蒸发源 碲化镉 块体 | ||
【主权项】：
1.一种利用分子束外延设备生长大尺度砷化镉薄膜的方法，其特征在于，具体步骤为：（1）采用云母作为衬底，对衬底采用机械剥离方式处理，以得到平整清洁的解理面；（2）采用分子束外延技术，在衬底上生长碲化镉作薄膜作为缓冲层；生长碲化镉缓冲层以解决晶格失配问题；（3）采用分子束外延技术，在碲化镉上生长砷化镉薄膜，分两步进行：首先以较低温度110‑120℃生长温度生长4‑10纳米砷化镉薄膜，使得砷化镉在缓冲层上大面积成核外延，随后，提高生长温度至150‑170℃生长所需厚度的砷化镉单晶薄膜。
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