[发明专利]半导体装置以及唯一ID产生方法有效
| 申请号： | 201810378069.6 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108806752B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 齐藤朋也 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/22 | 分类号： | G11C16/22;G11C16/26 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置以及唯一ID产生方法。根据一个实施例的半导体装置包括：唯一ID产生电路，该唯一ID产生电路被配置成利用包括多个互补单元的存储器阵列来产生唯一ID，每个互补单元包括第一存储器单元MC1和第二存储器单元MC2。当在第一存储器单元MC1的初始阈值电压已实质上偏移的第一状态下所读出的互补单元中的数据与在第二存储器单元MC2的初始阈值电压已实质上偏移的第二状态下所读出的互补单元中的数据彼此一致时，唯一ID产生电路使用互补单元中的数据作为唯一ID。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 唯一 id 产生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：存储器阵列，所述存储器阵列包括多个互补单元，所述互补单元中的每一个包括第一存储器单元和第二存储器单元，所述存储器阵列能够利用所述第一存储器单元的阈值电压与所述第二存储器单元的阈值电压之间的差来将数据保持在所述互补单元中；以及唯一ID产生电路，所述唯一ID产生电路被配置成利用所述第一存储器单元的初始阈值电压和所述第二存储器单元的初始阈值电压来产生所述存储器阵列专有的ID，其中，所述唯一ID产生电路执行以下处理：在所述第一存储器单元的所述初始阈值电压已实质上偏移的第一状态下读出所述互补单元中的数据，作为第一数据；在所述第二存储器单元的所述初始阈值电压已实质上偏移的第二状态下读出所述互补单元中的数据，作为第二数据；并且当在所述第一状态下读出的所述互补单元中的所述第一数据与在所述第二状态下读出的所述互补单元中的所述第二数据彼此一致时，使用所述互补单元中的所述数据作为唯一ID。
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