[发明专利]封装结构在审
| 申请号： | 201810378674.3 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN109786354A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 曹佩华;陈承先;朱立寰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种封装结构。此封装结构包括介电层形成于第一基板之上，以及导电层形成于介电层之中。此封装结构包括凸块下金属层形成于介电层之上，且凸块下金属层电性连接至导电层。此封装结构亦包括第一突出结构形成于凸块下金属层之上，且第一突出结构延伸向上远离凸块下金属层。此封装结构包括第二突出结构形成于凸块下金属层之上，且第二突出结构延伸向上远离凸块下金属层。此封装结构包括第一电性连接器形成于第一突出结构之上；以及第二电性连接器形成于第二突出结构之上。气隙形成于第一突出结构与第二突出结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 突出结构 封装结构 凸块下金属层 介电层 电性连接器 导电层形成 第一基板 电性连接 导电层 延伸 气隙 | ||
【主权项】：
1.一种封装结构，包括︰一介电层，形成于一第一基板之上；一导电层，形成于该介电层之中；一凸块下金属层，形成于该介电层之上，其中该凸块下金属层电性连接至该导电层；一第一突出结构，形成于该凸块下金属层之上，其中该第一突出结构延伸向上远离该凸块下金属层；一第二突出结构，形成于该凸块下金属层之上，其中该第二突出结构延伸向上远离该凸块下金属层；一第一电性连接器，形成于该第一突出结构之上；以及一第二电性连接器，形成于该第二突出结构之上，其中一气隙形成于该第一突出结构与该第二突出结构之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810378674.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：组合型直插式防水塑封引线框架
- 下一篇：电镀金属化结构
