[发明专利]三维存储器的制造方法及形成晶体硅层的方法

摘要

一种三维存储器的制造方法，包括：形成第一绝缘叠层；以第一绝缘叠层形成具有台阶区和核心区的第二绝缘层；在台阶区形成多个第一通道孔；在核心区形成多个第二通道孔；在第一通道孔和第二通道孔的底部形成无定型硅层；对无定型硅层进行激光照射，以使无定型硅层结晶。本发明提供的三维存储器的制造方法，改变了以生长方式在通道孔底部形成硅层的方法，因此较容易控制最终形成的硅层的高度。

主权项

1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一绝缘叠层，所述第一绝缘叠层包括沿第一方向交替堆叠的第一绝缘层和第二绝缘层；所述第一方向为垂直于所述衬底的表面的方向；在所述第一绝缘叠层上形成台阶结构，得到第二绝缘叠层，使得所述第二绝缘叠层包括沿第二方向并排设置的台阶区和核心区；所述第二方向为平行于所述衬底的表面的方向，所述台阶区包括所述台阶结构；形成沿第一方向贯穿所述台阶区的多个第一通道孔；形成沿第一方向贯穿所述核心区的多个第二通道孔；在所述多个第一通道孔的底部形成第一无定型硅层；在所述多个第二通道孔的底部形成第二无定型硅层；对所述第一无定型硅层和所述第二无定型硅层进行激光照射，以使所述第一无定型硅层和所述第二无定型硅层结晶。