[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810379975.8 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108682721A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 魏柏林;魏晓骏;郭炳磊;马磊;林凡 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体光电领域。外延片包括衬底及依次设置在衬底上的GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、电子阻挡层及P型层，电子阻挡层包括InxAl1‑xN/AlN/InyGa1‑yN超晶格结构。在外延片的P型层与有源层之间设置InxAl1‑xN/AlN/InyGa1‑yN超晶格结构，而InxAl1‑xN/AlN/InyGa1‑yN超晶格结构中InAlN和AlN/InGaN之间形成有二维电子气，二维电子气对有源层中的电子存在排斥力，并对P型层中的空穴存在吸引力，能够有效将电子限制在有源层中并吸引P型层中的空穴更多地进入有源层与电子复合，以提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 源层 超晶格结构 发光二极管外延 空穴 电子阻挡层 二维电子气 外延片 衬底 制备 未掺杂GaN层 发光二极管 电子复合 电子限制 发光效率 光电领域 依次设置 排斥力 半导体 吸引 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、有源层、电子阻挡层及P型层，其特征在于，所述电子阻挡层包括InxAl1‑xN/AlN/InyGa1‑yN超晶格结构，其中，0.1
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