[发明专利]半导体装置及电源转换电路在审
| 申请号： | 201810383439.5 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN109148568A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 白井伸幸;松浦伸悌 | 申请（专利权）人： | 力祥半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 宋义兴;张立晶 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及电源转换电路。半导体装置包括半导体基板、栅极电极、漏极电极及源极电极。栅极电极、漏极电极及源极电极形成在半导体基板上。源极电极的面积大于栅极电极的面积与漏极电极的面积。部分的源极电极呈现凸状而设置于栅极电极与漏极电极之间。本发明的半导体装置及电源转换电路可维持开关切换时的各种特性并可高速进行开关切换。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 漏极电极 源极电极 栅极电极 电源转换电路 半导体基板 开关切换 凸状 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，上述半导体装置包括：一半导体基板，具有彼此相对的一第一主面及一第二主面，且在上述半导体基板上形成有一栅极区域、一漏极区域及一源极区域；一栅极电极，设置于上述半导体基板的上述第一主面且耦接上述栅极区域；一漏极电极，设置于上述半导体基板的上述第一主面且耦接上述漏极区域；一源极电极，设置于上述半导体基板的上述第一主面且耦接上述源极区域，上述源极电极的面积大于上述栅极电极的面积与上述漏极电极的面积；以及一覆盖绝缘层，设置于上述半导体基板的上述第一主面，且上述覆盖绝缘层至少部分地覆盖上述栅极电极、上述漏极电极及上述源极电极；其中，上述栅极电极的一栅极露出部从上述覆盖绝缘层露出，上述源极电极的一源极露出部从上述覆盖绝缘层露出，上述漏极电极的一漏极露出部从上述覆盖绝缘层露出，部分的上述源极电极设置于上述栅极电极与上述漏极电极之间，上述源极露出部设置于上述栅极露出部与上述漏极露出部之间。
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