[发明专利]一种集成电路研发用掩膜板在审
| 申请号： | 201810383618.9 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108732861A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 薛培堃 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F1/38 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路研发用掩膜板，其中，包括图形区域和非图形区域，所述图形区域包括第一图形区域和位于所述第一图形区域之外的第二图形区域，所述第一图形区域和所述第二图形区域之间设置一遮光带，于所述遮光带上增加一第一切割道，所述非图形区域设有第二切割道，所述第一切割道和所述第二切割道上设置套刻标记；有益效果：可根据研发需求分别对OPC图形区及其他图形区进行曝光，有效避免了硅片上OPC图形区域光阻残留对其他图形区域的干扰，保证了各图形区域功能的正常实现。 | ||
| 搜索关键词： | 图形区域 切割道 研发 非图形区域 图形区 遮光带 集成电路 套刻标记 掩膜板 硅片 光阻 掩膜 切割 残留 曝光 保证 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路研发用掩膜板，其特征在于，包括图形区域和非图形区域，所述图形区域包括第一图形区域和位于所述第一图形区域之外的第二图形区域，所述第一图形区域和所述第二图形区域之间设置一遮光带，于所述遮光带上增加一第一切割道，所述非图形区域设有第二切割道，所述第一切割道和所述第二切割道上设置套刻标记。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
