[发明专利]腔室清洁方法、基板处理方法和基板处理装置有效
| 申请号： | 201810383771.1 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108807141B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 郑镇优;李暎熏 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/08;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 杨黎峰;钟锦舜 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于清洁腔室的装置和方法。一种用于清洁具有用于处理基板的处理空间的腔室的方法包括：通过向处理空间中供应清洁介质来清洁腔室。清洁介质包括具有非极性的超临界流体和具有极性的有机溶剂。相对于非极性污染物和极性污染物，腔室的清洁效率得以改善。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于清洁具有用于处理基板的处理空间的腔室的方法，所述方法包括：通过向所述处理空间中供应清洁介质来清洁所述腔室，其中所述清洁介质包括具有非极性的超临界流体和具有极性的有机溶剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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