[发明专利]等离子处理装置有效
| 申请号： | 201810384258.4 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108807123B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 上田雄大;永井健治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子处理装置。该等离子处理装置抑制相对于被处理体的等离子处理的均匀性的下降。等离子处理装置(10)具有第1载置台(2)、第2载置台(7)以及升降机构(120)。第1载置台(2)载置成为等离子处理的对象的晶圆(W)。第2载置台(7)设于第1载置台(2)的外周，并载置聚焦环(5)，且在内部设有制冷剂流路(7d)和加热器(9a)。升降机构(120)使第2载置台(7)升降。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子处理装置，其特征在于，该等离子处理装置具有：第1载置台，其载置成为等离子处理的对象的被处理体；第2载置台，其设于所述第1载置台的外周，并载置聚焦环，且在内部设有调温机构；以及升降机构，其使所述第2载置台升降。
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