[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明是为了提高半导体器件的性能。半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底中的p型阱区域、形成在p型阱区域上方的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上方的半导体层、形成在半导体层上方的第二绝缘层以及形成在第二绝缘层上方的导体层。第一电容元件包括半导体层、第二绝缘层和导体层，而第二电容元件包括p型阱区域、第一绝缘层和半导体层，其中半导体衬底和半导体层中的每个都包括单晶硅层。

主权项

1.一种半导体器件，具有第一电容元件和第二电容元件，所述半导体器件包括：半导体衬底，具有主表面和面向所述主表面的背表面；第一半导体区域，所述第一半导体区域是所述半导体衬底的第一区域并且形成在所述主表面侧；第一绝缘层，形成在所述主表面上方；第一半导体层，形成在所述第一绝缘层上方；第二绝缘层，形成在所述第一半导体层上方；和第一导体层，形成在所述第二绝缘层上方，其中所述第一电容元件包括所述第一半导体层、所述第二绝缘层和所述第一导体层，其中所述第二电容元件包括所述第一半导体区域、所述第一绝缘层和所述第一半导体层，以及其中所述半导体衬底和所述第一半导体层中的每个都包括单晶硅层。