[发明专利]一种半导体器件及其封装方法、集成半导体器件在审
申请号: | 201810384902.8 | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN110416093A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 江伟 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495;H01L29/06 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 519070*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体器件及其封装方法、集成半导体器件,该半导体器件包括:铜桥框架;引线框架;铜桥框架与所述引线框架之间设置有芯片,引线框架与芯片之间通过结合材连接,铜桥框架与芯片之间通过结合材连接,铜桥框架、芯片与引线框架通过塑封材料塑封在一起,铜桥框架背离芯片一侧从塑封材料中露出,引线框架背离芯片一侧从所述塑封材料中露出。这种半导体器件结构由于铜桥框架背离芯片的一侧从塑封材料中露出,引线框架背离芯片的一侧从塑封材料中露出,从而加强了芯片的散热,延长了器件的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 芯片 引线框架 铜桥 塑封材料 半导体器件 背离 集成半导体器件 结合材 封装 半导体器件结构 使用寿命 散热 塑封 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,该半导体器件包括:铜桥框架;引线框架;所述铜桥框架与所述引线框架之间设置有芯片,所述引线框架与所述芯片之间通过结合材连接,所述铜桥框架与所述芯片之间通过结合材连接,所述铜桥框架、所述芯片与所述引线框架通过塑封材料塑封在一起,所述铜桥框架背离所述芯片一侧从所述塑封材料中露出,所述引线框架背离所述芯片一侧从所述塑封材料中露出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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