[发明专利]高压电平移位电路及驱动装置有效
| 申请号： | 201810385733.X | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108809296B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 吉田宽 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 得到能够防止错误信号的传送，并且降低电流的高压电平移位电路及驱动装置。分别将第1高耐压NMOS晶体管(T1)及第2高耐压NMOS晶体管(T2)的漏极电流输入至第1 PMOS电流镜电路(CM 1)及第2 PMOS电流镜电路(CM 2)的基准侧。将第2 PMOS电流镜电路(CM 2)的输出电流输入至第1 NMOS电流镜电路(CM 3)的基准侧。I/V信号变换电路(1)被输入第1 PMOS电流镜电路(CM 1)的输出和第1 NMOS电流镜电路(CM 3)的输出而得到输出控制电压信号。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 电平 移位 电路 驱动 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高压电平移位电路，其特征在于，具备：第1高耐压NMOS晶体管，其由接通指令进行驱动；第2高耐压NMOS晶体管，其由断开指令进行驱动；第1PMOS电流镜电路，所述第1高耐压NMOS晶体管的漏极电流被输入至所述第1PMOS电流镜电路的基准侧；第2PMOS电流镜电路，所述第2高耐压NMOS晶体管的漏极电流被输入至所述第2PMOS电流镜电路的基准侧；第1NMOS电流镜电路，所述第2PMOS电流镜电路的输出电流被输入至所述第1NMOS电流镜电路的基准侧；以及I/V信号变换电路，其被输入所述第1PMOS电流镜电路的输出和所述第1NMOS电流镜电路的输出而得到输出控制电压信号。
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