[发明专利]一种背接触太阳能电池组的制作方法

摘要

本发明公开了一种背接触太阳能电池组的制作方法，制作工艺步骤如下：S1，在晶体硅的正面和背面分别形成正电荷膜层和负电荷膜层而制成晶体硅集成板；S2，对晶体硅集成板的背光面实行硼扩散工艺，形成P型扩散区域；S3，采用磁控溅射的方式，将磷原子充分深入至晶体硅集成板上，使渗入部分形成N型扩散区域；S4,采用化学气相沉积法；S5，将加工好的晶体硅集成板对应尺寸的钢化玻璃进行粘接；S6，将步骤S5中的晶体硅集成板，进行密封冲压；S7，密封冲压2‑4小时后，形成太阳能电池组；S8，电池启动充电。本发明制作的太阳能电池组充电较快速，寿命较长，充电温度范围较广，同时加工耗材成本较低，工艺出品率得到大幅提高，取得了很好的经济效益。

主权项

1.一种背接触太阳能电池组的制作方法，其特征在于，制作工艺步骤如下：S1，在晶体硅的正面和背面分别形成正电荷膜层和负电荷膜层而制成晶体硅集成板，所述正电荷膜层通过等离子镀铅膜工艺而形成，所述负电荷膜层通过依次进行等离子镀氧化铅减反射膜、印刷银浆栅、烧结和导入负电荷而形成；S2，对晶体硅集成板的背光面实行硼扩散工艺，形成硼掺杂区域，损伤层能够阻挡硼原子的扩散，从而在半导体薄片形成多个空穴，所述空穴没有电子变得不稳定，容易吸收电子而中和，形成P型扩散区域；S3，采用磁控溅射的方式，将磷原子充分深入至晶体硅集成板上，使渗入部分形成N型扩散区域；S4,采用化学气相沉积法，将完成P型扩散区域和N型扩散区域的晶体硅集成板上均匀涂覆氮化硅膜，所述氮化硅膜的厚度控制在20‑50μm；S5，将加工好的晶体硅集成板外部涂抹乙烯‑醋酸乙烯酯共聚物，并将对应尺寸的钢化玻璃进行粘接；S6，将步骤S5中的晶体硅集成板放到设有缓冲装置的液压机的模具中，进行冲压，液压机的工作压力为6‑12T，缓冲装置的缓冲力为0.8‑3.2T,液压机的冲头下行速度为30‑50mm/s，进行密封冲压；S7，密封冲压2‑4小时后，连接电路线路，接上正极和负极，同时可以将多个进行串联或并联，形成太阳能电池组；S8，电池启动充电，充电之后检查电流和温度，保证游离电子从正极运动至负极，完成电池生产。