[发明专利]测试光掩模组件的方法在审
| 申请号： | 201810387332.8 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110187601A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 柯武宏;温志伟;谢昆龙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/84 | 分类号： | G03F1/84 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种测试光掩模组件(photomask assembly)的方法。所述方法包括将光掩模组件放置到腔室中。所述光掩模组件包括贴合到光掩模的第一侧的护膜(pellicle)。所述方法还包括将所述光掩模组件在所述腔室中暴露于辐射源(radiation source)。所述光掩模组件的暴露包括在整个照射时间内照射所述光掩模被所述护膜覆盖的全部区域。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模组件 测试光掩模 光掩模 护膜 腔室 照射 全部区域 辐射源 暴露 贴合 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种测试光掩模组件的方法，其特征在于，包括：将所述光掩模组件放置到腔室中，其中所述光掩模组件包括贴合到光掩模的第一侧的护膜；以及将所述光掩模组件在所述腔室中暴露于辐射源，其中所述光掩模组件的暴露包括在整个照射时间内照射所述光掩模被所述护膜覆盖的全部区域。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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