[发明专利]一种砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮及其制备方法

摘要

本发明公开了一种砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮，由以下体积份数的原料制成：金刚石15~25份、偶联剂2~6份、造孔剂2.5~5.5份、二氧化硅15~25份、氧化铈5~10份、酚醛树脂15~22份；本发明还公开了该砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮的制备方法以及该超细抛光砂轮在砷化镓晶片抛光上的应用。本发明制得的超细抛光砂轮组织均匀且软，气孔率35~60%，孔径50~200μm；对半导体材料砷化镓晶片具有良好的磨削性能，磨削后的晶片表面损伤层低，且大大提高了生产效率和良品率。

主权项

1.一种砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮，其特征在于，所述砂轮用于砷化镓晶片的抛光，砂轮由以下体积份数的原料制成：金刚石15~25份、偶联剂2~6份、造孔剂2.5~5.5份、二氧化硅15~25份、氧化铈5~10份、酚醛树脂15~22份；所述偶联剂为3‑缩水甘油基丙基三甲氧基硅烷；所述造孔剂为可膨胀微球；所述金刚石的粒径不大于0.5 μm；所述二氧化硅为实心二氧化硅，粒径为1.0~2.5 μm；所述氧化铈的粒径为3.0~5.5 μm；所述砷化镓晶片抛光用超细抛光砂轮的制备方法，包括以下步骤：（1）将酚醛树脂研磨成粉状，按体积份数量取各原料，并将所有粉状的原料分别过筛，备用；（2）将金刚石先经过热碱处理，再充分分散于丙酮中除杂、避免团聚，然后烘干；再加入氧化铈及二氧化硅，混合、过筛，得到混合粉料；（3）向步骤（2）所得混合粉料中加入偶联剂，混合均匀，再加入丙酮作为分散介质，搅拌超声20~50分钟后，烘干；（4）将粉状的酚醛树脂与步骤（3）所得产物过筛并球磨混料，再加入造孔剂，混匀、过筛，得到待压料，待压料的粒径小于80 μm；（5）将步骤（4）所得待压料压制成型，得到坯料；按照形状需要对坯料进行机加工，即得；步骤（5）所述压制成型控制为：先于压力0.8~1.2 MPa、温度180~200℃的条件下恒温恒压保持1~3分钟，再保持温度不变，加压至4.8~5.2 MPa，恒温恒压保持60~80分钟，脱模；所述造孔剂在使用前先于60~100℃烘0.2~0.8小时。