[发明专利]一种低相位误差衰减器在审
| 申请号： | 201810389483.7 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108599735A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘超 | 申请（专利权）人： | 成都聚利中宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H17/00 | 分类号： | H03H17/00 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李华;温黎娟 |
| 地址： | 610213 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低相位误差衰减器，所述衰减器的输入端和输出端之间串联有多个独立控制的衰减模块，所述每个衰减模块均设置有低通相移补偿网络，所述低通相移补偿网络用于使所在衰减模块在衰减状态时具有低通特性，所述每相邻两个衰减模块之间均设置有深阱隔离。本发明通过在每一个衰减模块中加入低通相移补偿网络，使每一个衰减模块在衰减状态时具有和参考状态一样的低通特性，从而可以有效降低每一个衰减模块的寄生相位差。 | ||
| 搜索关键词： | 衰减模块 低通 相移补偿 衰减器 衰减状态 低相位 参考状态 独立控制 网络 输出端 输入端 相位差 寄生 深阱 串联 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种低相位误差衰减器，其特征在于，所述衰减器的输入端和输出端之间串联有多个独立控制的衰减模块，所述每个衰减模块均设置有低通相移补偿网络，所述低通相移补偿网络用于使所在衰减模块在衰减状态时具有低通特性，所述每相邻两个衰减模块之间均设置有深阱隔离。
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