[发明专利]顶栅型非晶硅TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种顶栅型非晶硅TFT基板的制作方法，首先在衬底基板上依次形成遮光层、缓冲层、非晶硅层、绝缘层及栅极金属层，在所述栅极金属层上图案化形成光阻层，然后采用第一道蚀刻工艺去除所述栅极金属层、绝缘层及非晶硅层上未被光阻层覆盖的部分，由所述非晶硅层得到非晶硅有源层，再对光阻层进行灰化处理，使得光阻层的宽度减小，采用第二道蚀刻工艺去除所述栅极金属层与绝缘层上未被光阻层覆盖的部分，形成栅极与栅极绝缘层并露出所述非晶硅有源层的两端，最后以光阻层、栅极及栅极绝缘层遮蔽层，对所述非晶硅有源层进行离子植入，形成位于非晶硅有源层两端的源漏极掺杂区，可以提升非晶硅器件的载流子迁移率，节省了光罩制程及生产成本。

主权项

1.一种顶栅型非晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积并图案化形成遮光层(15)，在所述衬底基板(10)及遮光层(15)上依次沉积形成缓冲层(20)、非晶硅层(30)、绝缘层(40)及栅极金属层(50)；步骤S2、在所述栅极金属层(50)上涂覆一层光阻材料，对该层光阻材料进行曝光显影，得到光阻层(60)；采用第一道蚀刻工艺去除所述栅极金属层(50)、绝缘层(40)及非晶硅层(30)上未被光阻层(60)覆盖的部分，由所述非晶硅层(30)得到非晶硅有源层(35)；步骤S3、对光阻层(60)进行灰化处理，使得光阻层(60)的宽度减小，采用第二道蚀刻工艺去除所述栅极金属层(50)与绝缘层(40)上未被光阻层(60)覆盖的部分，形成栅极(55)与栅极绝缘层(45)，并露出所述非晶硅有源层(35)的两端；步骤S4、以所述光阻层(60)、栅极(55)及栅极绝缘层(45)为遮蔽层，对所述非晶硅有源层(35)进行离子植入，形成位于非晶硅有源层(35)两端的源漏极掺杂区(31)以及位于中间的沟道区(32)；步骤S5、将剩余的光阻层(60)剥离去除，在所述栅极(55)、非晶硅有源层(35)及缓冲层(20)上沉积层间介电层(70)，对该层间介电层(70)进行图案化处理，在所述层间介电层(70)上形成对应于所述源漏极掺杂区(31)上方的过孔(71)；步骤S6、在所述层间介电层(70)上沉积并图案化形成源漏极(85)，所述源漏极(85)通过所述过孔(71)与所述非晶硅有源层(35)的源漏极掺杂区(31)相接触。