[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201810390875.5 | 申请日: | 2018-04-27 |
公开(公告)号: | CN108807223B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 中村一树;田中克典;野野村正浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置具有控制单元,在利用处理部对基板的上表面进行处理的上表面处理时,上述控制单元一边操作旋转驱动部,使基板以第一转速旋转,一边从处理液供给部供给处理液,并操作第一控制阀从气体喷嘴以第一流量供给气体,在上表面处理结束后,上述控制单元在使旋转驱动部的转速提升,来使基板以第二转速旋转,来对基板进行干燥的干燥处理时,操作第一控制阀和第二控制阀,来从气体喷嘴以大于第一流量的流量供给气体。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,在使用处理液覆盖基板的下表面的状态下,对基板的上表面进行处理,该基板处理装置包括:旋转台,能够绕铅垂轴旋转;旋转驱动单元,使所述旋转台旋转;支撑单元,立设于所述旋转台,以与基板的周边缘部抵接,来使基板的下表面从所述旋转台的上表面分离的方式支撑基板;处理单元,作用于由所述支撑单元支撑的基板的上表面进行处理;处理液供给单元,向基板的下表面供给处理液;气体喷嘴,从所述旋转台的中央向所述基板的下表面供给气体;气体供给管,一端侧与所述气体喷嘴连通连接;气体供给单元,供给气体;第一分支配管,一端侧与所述气体供给单元连通连接,另一端侧与所述气体供给管的另一端侧连通连接;第二分支配管,一端侧与所述气体供给单元连通连接,另一端侧与所述气体供给管的另一端侧连通连接;第一控制阀,将所述第一分支配管中的气体的流通控制为第一流量;第二控制阀,将所述第二分支配管中的气体的流通控制为第二流量,所述第二流量是大于等于所述第一流量的流量;以及控制单元,在利用所述处理单元对基板的上表面进行处理的上表面处理时,所述控制单元一边操作所述旋转驱动单元,使基板以第一转速旋转,一边从所述处理液供给单元供给处理液,并操作所述第一控制阀从所述气体喷嘴以第一流量供给气体,在所述上表面处理结束后,所述控制单元在使所述旋转驱动单元的转速上升来使基板以第二转速旋转,来对基板进行干燥的干燥处理时,操作所述第一控制阀和所述第二控制阀,来从所述气体喷嘴以大于所述第一流量的流量供给气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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