[发明专利]一种自举电路有效
| 申请号： | 201810392645.2 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108599751B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 刘建伟;陈凯让;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;王育新;付东兵;张正平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种自举电路，该自举电路包括反相器INV31、INV32，PMOS管M |
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| 搜索关键词： | 一种 电路 | ||
【主权项】：
1.一种自举电路，其特征在于：该自举电路包括反相器INV31、INV32，PMOS管M31、M32、M33，NMOS管M34以及电容C31、C32；所述反相器INV31的输入端为自举电路的输入端，所述反相器INV31的输出端连接至反相器INV32的输入端和电容C31的一端，电容C31的另一端连接至PMOS管M31的漏极；所述PMOS管M31的栅极连接至反相器INV31的输入端，源极连接至VDD，所述PMOS管M31的漏极还连接至PMOS管M33的栅极；所述PMOS管M33的源极连接至PMOS管M32的漏极和电容C32的一端，所述电容C32的另一端连接至反相器INV32的输出端和NMOS管M34的源极，所述PMOS管M32的源极连接至VDD；所述NMOS管M34的漏极与PMOS管M33的漏极相互连接之后作为自举电路的输出端。
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