[发明专利]一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810392732.8 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108493337A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 张剑豪;邹华;胡益丰;朱小芹;薛建忠;郑龙;吴世臣;袁丽;孙月梅;吴卫华;眭永兴 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/18;C23C14/35;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 张宇 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料，其组分表达式为CexSby，其中x，y为原子百分比，0 | ||
| 搜索关键词： | 纯锑 纳米相变材料 镧系元素 铈掺杂 相变存储材料 相变存储器件 半导体技术 非晶态电阻 数据保持力 原子百分比 高低电阻 相变材料 相变过程 制备工艺 可逆的 功耗 晶化 晶态 制备 分辨 兼容 存储 合成 成熟 继承 | ||
【主权项】：
1.一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料，其特征在于，其组分表达式为CexSby，其中x，y为原子百分比，0
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